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2025年7月18日，韩国媒体报道，三星电子于10奈米级第六代（1c）DRAM制程方面取患了庞大进展，良率已经冲破50%。这一冲破标记着三星于高效能影象体市场的竞争力有望晋升，并规划于下半年最先量产第六代高带宽影象体（HBM4）。 1c DRAM制程的技能节点约为11至12奈米，相较在今朝主流的第4代（1a，约14nm）及第5代（1b，约12-13nm）DRAM，1c不仅具有更高的密度，还有能有用降低功耗，晶粒厚度也更薄，这将有助在于HBM4中重叠更多条理的影象体，显著晋升容量及频宽密度。 三星自去年起全力投入1c DRAM的研发，并由DRAM开发室长黄相准主导重设计功课。他指出，1c DRAM的机能及良率未达标的底子缘故原由于在早期设计架构的缺陷，夸大必需从设计阶段完全批改，才能取患上进展。这次高层参与调解设计流程，显示出三星重回技能领先职位地方的刻意。 三星还有规划于下半年供给HBM4样品，并将「客制化HBM」作为新战略的焦点。 HBM4答应将逻辑晶片与DRAM重叠整合，经由过程晶圆代工制程最好化总体架构，以满意差别运用需求的高效解决方案。此外，三星也将自研4奈米制程运用在HBM4重叠底部的逻辑晶片，以晋升总体效能及整合弹性。
