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SK海力士近期推进其1c（第六代10奈米级）DRAM制程技能，乐成实现六层极紫外光（EUV）光刻技能的年夜范围整合，成为全世界领先厂商之一。该技能使用波长约13.5奈米的EUV，显著优化了制造流程，降低了多重图案化的繁杂度，晋升了晶片的良率——今朝良率已经冲破80%-90%，带来读写机能约11%的晋升以和9%的功耗降低。 SK海力士的1c DRAM规划重要办事高机能运算与人工智能市场，现有HBM3E和行将量产的HBM4采用1b工艺，而1c工艺将率先运用在后续的HBM4E产物，并鞭策更高容量DDR5影象体模组的开发。将来公司将于1d和0a制程中连续扩展EUV层数利用，并为High-NA EUV技能铺路，进一步鞭策DRAM制程进入2奈米如下节点。 跟着全世界AI和高机能计较对于高速年夜容量存储需求激增，SK海力士依附六层EUV技能上风，预期于高端DDR5及HBM市场取患上更年夜竞争力，挑战三星等竞争敌手，并加快TB级HBM4和万兆速度DDR6的商用推广，周全重塑全世界影象体市场格式。
